Infineon впервые выпустила силовые полупроводники на 300-миллиметровых пластинах карбида кремния

Компания Infineon совершила технологический прорыв, став первым в мире производителем, успешно выпустившим функциональные силовые полупроводники на 300-миллиметровых пластинах из карбида кремния (SiC). До этого момента индустрия была ограничена использованием пластин меньшего диаметра, что сдерживало темпы выпуска критически важных компонентов. Переход на новый стандарт позволяет значительно масштабировать производство, что крайне важно для стремительно растущего рынка электромобилей и развития зарядной инфраструктуры.

Главное преимущество новой технологии заключается в колоссальном росте эффективности: с одной 300-миллиметровой пластины теперь можно получить в 2,3 раза больше готовых чипов, чем при использовании стандартных решений. Карбид кремния играет ключевую роль в современных электрокарах, так как именно он отвечает за эффективное преобразование энергии, напрямую влияя на запас хода и скорость зарядки. Благодаря этому достижению, представленному 10 ноября 2026 года, Infineon планирует не только снизить издержки, но и обеспечить стабильные поставки высокотехнологичных компонентов для автопроизводителей по всему миру.