Infineon впервые выпустила силовые полупроводники на 300-миллиметровых пластинах карбида кремния
Компания Infineon успешно освоила производство SiC-чипов на пластинах диаметром 300 мм. Это позволяет выпускать в 2,3 раза больше компонентов, повышая эффективность производства для электромобилей и зарядной инфраструктуры.